최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기등록일자 | 2005-06-07 |
---|---|
출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=37c441e908f344dfb0e91696fe277573&fileSn=1&bbsId= |
□ 반도체 레이저는 레이저 다이오드(LD; Laser Diode), 또는 인젝션 레이저(Injection Laser)라고도 불리며, 정보통신의 발광용 소자로 사용되어 왔다. GaAlAs 결정의 통신용 파장이 750~880nm 범위이고, 810nm 근처가 보통이다. LD에는 마주 보는 2개의 거울 사이에서 공진이 일어나는 Fabry-Perot type과, Bragg 반사기가 많이 들어 있는 DFB LD 타입으로 나뉜다. 출력이 보통 5~100mW 정도이고, 안정된 파장이나 위상의 특성이 중시되는 LD는 고출력용은 아니었다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.