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NTIS 바로가기등록일자 | 2009-04-24 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=3d9ad092d5cd4929a06d4a3d3a943fed&fileSn=1&bbsId= |
○ 최근 전도성 고분자의 나노구조는 차세대 센서용 소재 가능성 때문에 전에 없는 주목을 받고 있다. 전도성 고분자는 분자설계의 다양성, 가공의 용이성, 저중량, 유연성 등과 같은 여러 장점을 가지고 있다. 전도성 고분자 트란스듀서는 금속 및 무기 반도체 재료와 비교할 때 상온에서 높은 감응도와 신속한 반응시간을 나타내며, 합성조건 및 도펀트 이용 등의 조절을 통해 센서 성능을 용이하게 조절할 수 있다. 본고는 전도성 나노고분자와 고분자 나노복합체 및 가능한 나노센서/바이오센서 분야에의 응용에 관하여 최신 정보를 새롭게
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