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NTIS 바로가기등록일자 | 2009-08-31 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=8de7da8b110049f591c2b27395ddf284&fileSn=1&bbsId= |
○ 본 발명은 나노구조체의 생산, 특히 ㎝단위로 성장시킬 수 있는 질화붕소 나노튜브섬유의 형성기술을 확립하였으므로 향후 본 특허자료의 활용 가능성이 상당히 높을 것으로 예상된다.
○ 질화붕소 나노튜브는 탄소나노튜브와 비슷한 역학성능과 열전도성능을 가지고 있고 고온에도 잘 견디고 산화방지 성능이 강하다. 또한 탄소나노튜브와 달리 BN 나노튜브의 전자에너지 밴드구조는 전기학적 성질을 쉽게 제어할 수 있어, 향후 나노전자 부품영역에서의 응용에 주요한 역할을 할 것으로 예상된다.
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