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NTIS 바로가기등록일자 | 2011-02-22 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=274b214c594f4002a4ffbc093f08b061&fileSn=1&bbsId= |
○ 마이크로화시대가 본격화 되고 나노 스케일을 취급하는 단계에 접어듦에 따라 목표 성능에 부합되는 재료의 개발과 더불어 이를 이용한 소형 고성능 소자의 형성방법이 중요한 이슈로 등장하게 되었다.
○ n-형 반도체인 ZnO는 Ⅱ-Ⅵ화합물로서 압전소자, 광도파관, 표면탄성 소자, 가스센서 및 바리스터등과 최근에는 자외선 발광다이오드 또는 레이저 다이오드 유망재료로서 각광을 받는 등 응용분야가 매우 다양 하다는 면에서 큰 주목을 받고 있다.
○ 이와 같은 ZnO를 박막형태로 제조하는 일은
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