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NTIS 바로가기등록일자 | 2011-02-09 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=e430ff8a3b7e49cd98f53af1567a142f&fileSn=1&bbsId= |
○ 이 연구의 핵심인 금속과 유기 반도체의 계면저항 특성을 향상시켜 전자 주입을 용이하게 하기 위해서는 전극의 표면을 개선하거나 새로운 전극 물질을 찾아내는 연구가 필요하다. 이는 비휘발성 메모리의 기술수명을 연장시키는 효과와 높은 신호전송 특성을 갖는 상변화 메모리 설계기술에도 적용될 수 있다. 아울러 디지털카메라/MP3플레이어/USB메모리/스마트폰 등으로 대표되는 차세대 휴대용 디지털기기의 메모리가 플래시 메모리로 전환되어 가고 있는 과도기인 현 시점에서 DRAM의 대체수요에 크게 기여할 수 있다.
○ OTF
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