최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기등록일자 | 2011-05-13 |
---|---|
출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=f11fc26d7c9942cbb57086492b330ceb&fileSn=1&bbsId= |
○ 전자스핀을 디바이스의 창출에 이용하는 스핀트로닉스(spintronics)가 빠르게 발전하고 있다. 스핀 편극을 이용하는 전형적인 스핀트로닉스 소자에는 고밀도자기기록과 불휘발성 스핀메모리의 기본 요소가 되는 거대자기저항소자(GMR)와 터널자기저항소자(TMR)가 있다. 이와 같은 스핀트로닉스 소자의 실현에는 고효율로 스핀전류를 생성하여 금속이나 반도체에 주입이 가능한 스핀원의 개발이 필요하다.
○ 상향 스핀의 전자에 대해서는 금속적이고 하향 스핀의 전자에 대해서는 반도체적 전자구조를 갖는 반금속(half me
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.