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NTIS 바로가기등록일자 | 2011-04-12 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=94b6b0a669a74e499cb827ecb17062f7&fileSn=1&bbsId= |
○ SiC는 압력에 따라 승화온도가 현저히 다르다. 1기압에서는 2500℃, 감압에서는 2000℃부근에서 분해와 승화가 일어난다. 기상중의 성분은 Si, Si2C, SiC2이다. 저온부에서 SiC가 재결정되어 나온다. 승화방법은 루리(Lely)법으로 불리고 있다. 이 방법은 고 순도, 고품질의 소형(1mm3정도)단결정을 얻는 유일한 방법이다.
○ 최근에는 결정씨앗을 사용하는 개량 형이 보급되어 인치크기의 대형단결정이 얻어지게 되었다. 재래 승화 법의 성장장치는 외경 100mm, 길이 150mm정도
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