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NTIS 바로가기등록일자 | 2012-07-30 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=247f6464a17546668ffc0a9ccddf032a&fileSn=1&bbsId= |
○ 리소그래피(lithography) 기술은 마스크(mask), 광근접 효과보정(OPC: Optical Proximity Correction), 노광장치, 레지스트(resist) 재료 및 레지스트 도포와 현상장치 등 다양한 요소기술로 구성되어 있다. 반도체 장치를 한층 더 고집적화하기 위해서는 이제까지보다 더 미세한 회로 패턴(pattern)을 형성하는 이 기술의 진화가 필수불가결하다.
○ 리소그래피 기술에는 반도체 장치세대마다 회로 패턴의 최소 치수가 1세대 전의 70~80%가 되도록 계속적인 미세화가
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