최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기등록일자 | 2013-04-18 |
---|---|
출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=e7121481c7e54750ac49a8b871e9dd97&fileSn=1&bbsId= |
○ 차세대반도체인 SiC 파워디바이스의 양산에 필요한 프로세스기술을 상세하게 기술하고 있다. 웨이퍼 반입시의 금속불순물, morphology, 전위 등의 결정결함 등 특성열화로 발전할 수 있는 것들의 검사방법을 현장경험을 토대로 보고하고 있어 크게 도움이 된다.
○ IE-MOSFET의 개발과정, 이온주입과 활성화열처리를 위한 절연 막 형성기술, 채널이동도 향상 및 게이트 산화막 신뢰성 등에서 양산기술이 확보되었음 보여준다. on 저항이 양의 온도계수를 보이고 있어 열 폭주에 대한 내성을 보인다는 보고는 SiC
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.