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NTIS 바로가기등록일자 | 2013-04-22 |
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출처 | RESEAT |
URL | https://www.reseat.or.kr/portal/cmmn/file/fileDown.do?menuNo=200019&atchFileId=ee19fd6086574c428dbf9e21f28c04e7&fileSn=1&bbsId= |
○ 본 발명은 반도체 전구체이온(Si, Ge)을 이용하여 가공물 표면에 다공성 반도체 막의 제조기술에 관한 것이다. 다공성 Si, SiGe 및 Ge 반도체 막의 이온유기 제조에 직접 응용할 수 있으며 이외에도 향후 다공성 탄소, 다공성 GaN, 다공성 Zn, 다공성 ZnTe에도 활용이 가능할 것으로 예상된다.
○ 양극산화(anodizing) 에칭과 같은 다공성 Si를 만드는 종래의 기술은 단결정 웨이퍼를 이용하는 데에는 유효하지만 박막 혹은 다공성 Ge막의 형성에는 적용할 수 없다. 종래의 기술을 이용한
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