초록 ▼

문서암호 : www.kosen21.org

1. 분석자 서문
밴드갭이 3.35eV이고 n-형 반도체인 ZnO는 벌크 또는 박막의 형태를 가지며, 다양한 분야에의 응용 가능성이 확인되면서 많은 연구가 이루어지고 있다. 특히 넓은 밴드갭과 더불어 높은 엑시톤 결합에너지 (exciton binding energy=60meV)를 가지고 있어, 단파장 영역에서의 광전자 소자로서의 응용 연구가 많이 이루어지고 있다. ZnO는 GaN에 비해 고품질의 단결정 성장이 용이하고 전기 전도도의 제어가 가능하여 발광소자 및 전하수송 소

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1. 분석자 서문
밴드갭이 3.35eV이고 n-형 반도체인 ZnO는 벌크 또는 박막의 형태를 가지며, 다양한 분야에의 응용 가능성이 확인되면서 많은 연구가 이루어지고 있다. 특히 넓은 밴드갭과 더불어 높은 엑시톤 결합에너지 (exciton binding energy=60meV)를 가지고 있어, 단파장 영역에서의 광전자 소자로서의 응용 연구가 많이 이루어지고 있다. ZnO는 GaN에 비해 고품질의 단결정 성장이 용이하고 전기 전도도의 제어가 가능하여 발광소자 및 전하수송 소자로의 응용 가능성이 매우 크다. ZnO의 응용 분야로는 FET소자, SET소자, SAW소자, 자외선발광소자, 태양전지, 압전소자, 센서, 광도파로, UV센서, 광스위치, 스핀소자 등을 들 수 있다.
특히 ZnO 나노 와이어에서 앞서 설명한 물성들을 규명하고 활용하려는 시도가 최근 활발하게 이루어지고 있다. ZnO나노와이어는 발광소자 또는 레이저 다이오드 등과 같은 저전압 단파장 나노 광전소자를 만들 수 있는 중요한 나노 빌딩블럭이 될 수 있기 때문에 특히 집중적인 관심이 쏠리고 있다.

본 리뷰 논문은 ZnO 나노와이어의 합성법 및 도핑을 통한 물성제어, 전기 전도도 및 자성 특성 평가, 나노와이어를 이용한 소자 제조기술 및 가스센서, 다이오드, 광검출 소자 등으로의 응용 연구 결과를 소개한 것으로, 이 분야의 연구 동향을 개괄적으로 파악하는데 도움이 될 것이다.

2. 목차
분석자 서문
1. Introduction
2. ZnO nanorod synthesis
3. Structure and optical properties of cored wurtzite (Zn,Mg)O heteroepitaxial nanowires
4. ZnO/cubic (Mg,Zn)O radial nanowire heterostructures
5. Ferromagnetism in ZnO
5.1 Ferromagnetism in semiconductors
5.2 Spin polarization in ZnO
6. Ferromagnetism in ZnO nanorods
7. Properties of Mn- and Co-implanted bulk ZnO
8. Fabrication approaches to ZnO nanowire devices
9. Gas sensing
10. Transport in ZnO nanowires
11. ZnO nanowire Schottky diodes
12. ZnO nanowire MOSFET
13. UV nanowire photodetectors
14. Conclusions and summary
분석자 결론

3. 원문정보
Y.W. Heo, D.P. Norton, L.C. Tien, Y. Kwon, B.S. Kang, F. Ren, S.J. Pearton and J.R. LaRoche,ZnO Nanowire Growth and Devices,Materials Science and Engineering: R: Reports, 2004 년 12 월.

※ 이 자료의 분석은 Korea Research Institute of Chemical Technology의 최영민님께서 수고해 주셨습니다.