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NTIS 바로가기등록일자 | 2005-11-15 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/350428 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
본 고에서는 OTFT(organic thin-film transistor)에 새로운 게이트 절연 물질을 도입하는데 관한 최근의 연구성과를 살펴보고자 한다. 먼저 OTFT에 사용되는 물질과 구동 원리 및 공정 요건에 대한 일반적인 개요를 논하고, 다음으로 1) 고유전율 무기물(inorganic high-k material), 2) 고분자(polymer), 3) 자기조립(self-assembled) 단층막 및 다층막의 세 종류의 절연 물질에 대해 구체적으
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