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NTIS 바로가기등록일자 | 2006-12-11 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/481104 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
반도체 나노와이어는 미래의 전자 및 광전 소자로의 커다란 응용 가능성 때문에 최근 많은 연구가 이루어지고 있다. 실리콘 기반의 반도체소자의 경우 60nm 공정이 소개되었으나, 그 이하의 선폭을 달성하는 데는 적잖은 문제들을 가지고 있다. 반면 나노와이어를 이용한 소자의 경우 이론적으로는 수 nm의 회로선폭까지 달성할 수 있어 반도체의 집적도를 획기적으로 올릴 수 있을 것으로 기대된다. 물론 여기에도 해결해야 할 문제들이 많이 있으나, 나노와이어의 대량
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