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NTIS 바로가기등록일자 | 2007-04-11 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/515294 |
원문 | http://www.materialstoday.com |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
다가오는 21세기 정보화시대에 고밀도-고성능 정보저장 및 메모리 기술로서 전자의 스핀 효과의 하나인 터널자기저항은 활용 가치가 매우 높다. 또한, 센서나 IT에서 응용가능성도 아주 높을 것이다. 이의 성공적인 응용을 위해서는 이론적 고찰뿐만 아니라, 원자단위의 재료 및 공정을 정밀하게 조절해야 한다. 실험적인 부분 및 새로운 재료의 예측 및 특성 등을 최적화시키기 위해서 밀도범함수이론에 근거한 제1원리 전자구조계산이 가장 강력한 도구가 될 것이다. 이 방법
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