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NTIS 바로가기등록일자 | 2008-07-02 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/703117 |
원문 | http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/47/1435 |
문서암호 : www.kosen21.org
1. 분석자 서문
플라즈마를 사용한 에칭기술은 65nm, 45nm. 22nm 노드 (node)의 새로운 반도체 기술 발전에 있어 없어서는 안될 중요한 기술 중 하나이다. 플라즈마는 단순히 부분적으로 이온화된 기체를 말하며, 이온과 전자 그리고 라디칼을 포함한 중성 입자들로 구성되어 있다. 플라즈마 에칭은 바로 이러한 기체 입자들을 이용하여 타깃 물질을 선택적으로 그리고 방향성 있게 깎아내어 아주 미세한 구조물을 만들어내는 것이다. 바로 이러한 식각 특성 때문에 현재 반도체
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