초록 ▼

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1. 분석자 서문

유기 박막 트랜시스터 (OTFT)는 현재 플렉서블 디스플레이, 센서, 전자 바코드 등의 여러 응용 분야에서 큰 관심을 끌고 있다. 유기반도체를 이용한 전자 소자 기술은 기존의 a-Si TFT 또는 polycrystalline TFT 기술 대체를 통한 저가 생산화뿐만 아니라, 실리콘 반도체에서 구현할 수 없는 휘어지는 유기물의 특성을 이용해 곡면을 이용한 전자 소자를 개발할 수 있으므로, 2차원적인 디자인을 뛰어넘어 새로운 응용 분야를 창출할 수 있

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1. 분석자 서문

유기 박막 트랜시스터 (OTFT)는 현재 플렉서블 디스플레이, 센서, 전자 바코드 등의 여러 응용 분야에서 큰 관심을 끌고 있다. 유기반도체를 이용한 전자 소자 기술은 기존의 a-Si TFT 또는 polycrystalline TFT 기술 대체를 통한 저가 생산화뿐만 아니라, 실리콘 반도체에서 구현할 수 없는 휘어지는 유기물의 특성을 이용해 곡면을 이용한 전자 소자를 개발할 수 있으므로, 2차원적인 디자인을 뛰어넘어 새로운 응용 분야를 창출할 수 있는 매우 중요한 분야이다. 하지만, 현재 개발된 유기 반도체 소자들은 누설 전류를 최소화하기 위한 두꺼운 게이트 절연막에 의해, 20V이상의높은 구동 전압을 갖는 문제점을 가지고 있으며, 이로 인한 구동 신뢰성이 확보되지 않은 것이 현실이다. 본 분석에서는, bias stress 하에서의 유기 FET의 구동 안정성과 신뢰성의 많은 관점과 특성을 요약하여 보여주며, n형 OTFT보다는 p형 OTFT에 촛점을 맞추어, stress 전압과 duty 주기, 게이트 절연막, 환경 조건, 빛에 대한 노출, 그리고 contact 저항과 같이 OTFT의 구동 안정성에 영향을 주는 많은 요소들을 많은 물질 시스템에서 특성화하여 소개하였다. 또한, 습기, 산소 및 화학적 불순물과 같은 외부 요인에 의한 문턱 전압의 이동과 hysteresis 변화을 소개하였으며, negative와 postive gate bias stress가 OTFT의 신뢰성에 미치는 영향을 실험적 결과와 함께 소개하였다. 마지막으로 유기 반도체의 Trap State에 대한 미세 구조적 이해를 돕는 연구 결과를 소개하였다.


2. 목차

1. 개요

2. p-Type OTFT에 대한 Negative Gate Bias Stress의 영향에 대한 현상학

3. 외적 요인의 역할

4. Positive Gate Bias에 대한 문턱 전압의 변화

5. Source-Drain Contact과 Gate 절연막의 영향

6. 유기 반도체의 Trap State에 대한 미세 구조적 이해

7. 결과 요약

Reference



3. 원문정보

Henning Sirringhaus/Reliability of Organic Field-Effect Transistors/Advanced Materials (2009) 21, pp. 1-15/2009년 10월


※ 이 자료의 분석은 Qualcomm MEMS Technologies의 이호진님께서 수고해 주셨습니다.