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NTIS 바로가기등록일자 | 2013-06-12 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/760800 |
원문 | http://www.advmat.de |
1. 분석자 서문
전해질을 게이트 절연체로 사용하는 트랜지스터(electrolyte-gated transistor; EGT)는 게이트 절연체로서 높은 전기용량의 전해질을 채용한 것으로 고전류 및 저전압이 가능하며 새로운 트랜지스터 구조가 가능해진다. 전자 소자에서 전해질을 사용하는 것은 오래된 개념이지만, EGT에 인쇄가능한 빠른 응답의 고분자 전해질을 사용하면 플렉시블한 인쇄 전자 회로, 디스플레이 및 바이오센서 등의 혁신적인 어플리케이션으로 확장이 가능하다. 본 자료는 EGT의 최근 개발 진보를 다룬 것으로 EGT의 구조
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