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NTIS 바로가기등록일자 | 2014-10-13 |
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출처 | KOSEN-코센리포트 |
URL | https://kosen.kr/info/kosen/761808 |
원문 | http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/cr500002z |
1. 분석자 서문 알루미늄을 양극산화하면 알루미늄 표면에 10~400 nm 크기의 세공이 규칙적으로 배열된 알루미늄 템플레이트를 제조할 수 있다. 세공 간의 간격은 수십~수백 나노미터 정도로 세공의 크기와 간격, 깊이는 양극산화 조건으로 조절할 수 있다. 양극산화 피막 미세공을 템플레이트로 하여 나노구조체(나노튜브, 나노와이어)를 제조할 수 있다. 양극산화 피막 세공 벽 표면에 특정 분자를 결합하면 새로운 기능의 나노물질 합성, 센서, 생물학적 관련 분자의 방출 제어에 이용할 수 있으며 소수성, 표면 전하, 광반사성, 막 선택성,
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