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반도성 및 강유전성 세라믹 박막의 형성 및 그 응용연구 (I)
Study on the Fabrication and Application of Ceramic Thin Film Having Either Semiconducting or Ferroelectric Properties 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국과학기술원
Korea Advanced Institute of Science and Technology
연구책임자 정형진
참여연구자 최두진 , 윤상옥 , 오영제 , 이전국
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1988-04
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200000144
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 양극산화법.졸겔법.CVD.Al₂O₃.TiO₂.Ta₂O(low 5).BaTiO₃.

초록

CVD법,양극산화법 및 졸겔법에 의한 세라믹스 박막의 제조실험을 통하여 다음과 같은 결론을 얻었다.
1) CVD법에 의한 Al$_{2}$O$_{2}$박막제조에서 치밀한 박막은 기체 유량속도가 2.0${\ell}$/min일 때 가능하며 반응영역은 ${\pm}$1cm 정도였다. 증착속도가 70-80${\AA}$범위였고,증착 이전의 핵생성에 요구되는 Incubation time은 부위에 따라 달랐으며,박막의 부식속도는 약 145

목차 Contents

  • 제1장 서론...13
  • 제2장 문헌조사...15
  • 제1절 세라믹 박막의 형성방법...15
  • 제2절 CVD법에 의한 박막제조 및 응용...32
  • 제3절 양극산화법에 의한 박막제조 및 응용...40
  • 제4절 졸-겔법에 의한 박막제조 및 응용...60
  • 제3장 실험방법...71
  • 제1절 CVD법에 의한 박막제조 및 측정...71
  • 제2절 양극산화법에 의한 박막제조 및 측정...74
  • 제3절 졸-겔법에 의한 박막제조 및 측정...79
  • 제4장 결과 및 고찰...82
  • 제1절 CVD법에 의한 박막...82
  • 제2절 양극산화법에 의한 박막...91
  • 제3절 졸-겔법에 의한 박막...116
  • 제5장 결론 및 제언...139
  • 제1절 결론...139
  • 제2절 제언...140
  • 참고문헌...142

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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