초록 ▼

텅스텐옥사이드 박막을 이용한 일렉트로크로믹 표시소자으 응답시간, 기억시간, 안정성, 발색 및 소색 특성 등에 대하여 연구하였다. Rf-Sputtering에 의해 증착된 WO$_{3}$층은 비결정질이었으며 표시전극의 WO$_{3}$층의 두께가 5,000Å인 경우 발색 특성 및 안정성이 우수하였다. 전해절에 요오드이온을 첨가함으로써 대전극에서의 산소발생반응을 억제하였으며, 또한 빠른 응답속도 및 안정성 향상을 기할 수 있었다. 대전극에 WO$_{3}$층을 입힌 경우 소색시 대전

텅스텐옥사이드 박막을 이용한 일렉트로크로믹 표시소자으 응답시간, 기억시간, 안정성, 발색 및 소색 특성 등에 대하여 연구하였다. Rf-Sputtering에 의해 증착된 WO$_{3}$층은 비결정질이었으며 표시전극의 WO$_{3}$층의 두께가 5,000Å인 경우 발색 특성 및 안정성이 우수하였다. 전해절에 요오드이온을 첨가함으로써 대전극에서의 산소발생반응을 억제하였으며, 또한 빠른 응답속도 및 안정성 향상을 기할 수 있었다. 대전극에 WO$_{3}$층을 입힌 경우 소색시 대전극에서 일어나는 수소발생 반응을 억제하고 텅스텐브론즈 형성 반응을 일으킴으로써 일레트로크로믹 표시소자의 수명연장 및 안정성 향상을 기할 수 있었다. Cr$_{2}$O$_{3}$고체 전해질층을 Rf-Sputtering으로 입힌 일렉트로크로믹 표시소자의 경우는 발색이 전혀 안되었으며 진공증착법으로 입힌 경우는 수용액 중에서 발색이 되었다. Sb$_{2}$O5 고체전해질 일렉트로크로믹 표시소자의 경우는 발색·소색 속도가 느리게 나타났으나 발색도 및 기억시간이 우수하였다.

목차 Contents

• 제 1 장 서 론...11
• 제 1 절 연구개발의 목적과 범위...11
• 제 2 절 이론적 배경...13
• 1. EC재료의 종류...13
• 2. WO₃Film의 EC현상...18
• 제 2 장 실 험...20
• 제 1 절 실험장치...20
• 1. Rf-Sputtering을 위한 Target준비...20
• 2. 박막 증착을 위한 Rf-Sputtering장치...20
• 3. Film의 증착속도 및 증착두께 측정을 위한 Thickness Monitor...22
• 4.ECD Cell의 광학 및 전기특성 측정장치...22
• 제 2 절 실험방법...24
• 1. EC전극의 제조...24
• 2. 전해질의 제조...24
• 3. 대전극의 준비...27
• 4. EC표시소자 제작...27
• 5. ECD Cell의 특성실험...31
• 제 3 장 결과 및 고찰...33
• 제 1 절 Rf-Sputtering의 WO₃,Cr₂O₃Film특성...33
• 제 2 절 젤전해질 ECD...35
• 1. 농황산.글리세린.알루미나.수팽윤성 고분자 전해질의 ECD...35
• 2. 6N 황산.글리세린.알루미나.수팽윤성 고분자 전해질의 ECD...44
• 3. 6N 황산.폴리비닐알콜.실리카 전해질의 ECD...49
• 4. EC층의 WO₃두께 변화...53
• 5. 6N 황산.폴리비닐알콜.알루미나.실리카 전해질의 ECD...61
• 6. 요오드 이온을 첨가한 전해질의 ECD...66
• 제 3 절 고체 전해질을 이용한 ECD...80
• 1. Cr₂O₃를 양성자 공급체로 한 ECD...80
• 2. Antimonic Acid를 양성자 공급체로 한 ecd...81
• 제 4 장 결 론...84
• 참 고 문 헌...85