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Microelectronics 기술개발중 MOS공정기술 개발에 관한 연구 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 이진효
참여연구자 김보우 , 유종선 , 김여환 , 김종대 , 김광수 , 김성일 , 이규홍 , 김천수 , 정연배 , 류환배
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1986-12
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO200200000915
DB 구축일자 2013-04-18

초록 ▼

본 연구과제를 통하여 개발된 기술을 요약하면 다음과 같다.
- 1.25um 실리콘 게이트 CMOS 공정 기술 개발
- LDD구조의 n-MOSFET 제작
- Silicide 형성 및 salicide(self-aligned silicide) MOSFET 제조
- Thin gate oxide 형성
- Shallow Junction 형성
- Trench 격리 형성
- 공정 및 모델 변수 추출을 위한 측정 장치 개발
1.25um CMOS공정 기술 개발을 위하여 1.25um design rule을 설

목차 Contents

  • 제 1 장 서 론...12
  • 제 2 장 기초실험...14
  • 제 1 절 LDD n-MDSFET...15
  • 제 2 절 얇은 산화막 성장 및 특성...29
  • 제 3 절 Trench 격리...39
  • 제 4 절 실리콘-산화막 경계면에서의 Trap 밀도 측정...59
  • 제 3 장 1.25 m 실리콘 게이트 CMOS 공정...82
  • 제 1 절 1.25 m CMOS 설계규칙...83
  • 제 2 절 테스트 췹의 설계...96
  • 제 3 절 테스트 췹의 제작...118
  • 제 4 절 측정결과 및 분석...125
  • 제 4 장 모델 변수 및 자동측정...136
  • 제 1 절 모델 변수...137
  • 제 2 절 측정창치 구성...149
  • 제 3 절 저온측정 장치...154
  • 제 5 장 기술 검토...165
  • 제 1 절 차세대 MOSFET에서의 누설전류와 Lifetime 과의 관계...166
  • 제 6 장 결 론...185
  • 부록 : 위탁 과제 보고서...187

연구자의 다른 보고서 :

참고문헌 (25)

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