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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 이주천 |
참여연구자 | 홍성주 , 이정영 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1990-08 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200002669 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 비정질 반도체.Time-of-flight.Photo-CVD.비정질 실리콘-저마늄.비정질 실리콘-카본.Amorphous Semiconductor.Time-of-flight.A-SiGe:H.A-SiC:H. |
비정질 합금 반도체는 저렴하고 쉽게 제작학 수 있으며 광소자로 응용이 가능할 만큼의 좋은 광전기 특성을 지니고 있는 반면에 금지대 안쪽의 상태 밀도가 크다거나 시료의 안정성이 떨어지는 등의 문제점들이 남아 있다. 본 연구의 목적은 비정질 실리콘, 비정질 실리콘-저마늄, 실리콘-카본 등을 제작하고 그 전기적, 광학적 성질을 밝혀 질이 좋은 비정질 합금 재료 제조 기술을 확립하는데 있다. 이 연구에서는 PECVD나 Photo-CVD 방법에 의해 비정질합금 반도체를 제조하여 특성을 조사했다. 비정질 실리콘의 경우 Time-of-fligh
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