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[국가R&D연구보고서] GaAs 초고속 집적회로 공정기술 개발에 관한 연구 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 박형무
참여연구자 강진영 , 김봉열 , 곽계달 , 마동성 , 김도진 , 박철순 , 이진희 , 이재신 , 이경호 , 양전욱 , 최영규 , 심규환
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1990-06
주관부처 과학기술부
연구관리전문기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO200200004138
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 활성화.내열성 게이트.쇼트기 접촉.게이트 측벽.스테틱 램.금속반도체 전계효과 트랜지스터.갈륨비소 반도체 집적회로.Activation.Refratory Metal Gate.Schottky Contacts.Static RAM.MESFET.GaAs IC.

초록 ▼

본 연구에서는 집적화 공정기술을 연구하기 위해 1차년도에서 수행된 기본공정기술 연구의 결과를 토대로 하여 장비상의 한계와 공정상의 문제점을 해결하기 위해 장비를 제작하고 개선·보완하였다. 개별공정의 개선분야에서는 질화막을 이용한 활성화 실험을 수행하였고 RIE에 의한 산화막식각 실험을 수행하였으며, IBAD법에 의한 최초의 WSIN 게이트형성 실험을 수행한 결과 좋은 내열성과 전위장벽의 특성을 얻었다. 금속 배선의 분야에서 스파트링에 의한 금속막형성과 저온 2층 배선공정 실험을 수행하였다. 그리고 소자제작에서는 Ti/Pt/Au과 W

목차 Contents

  • 제1편 GaSa 초고속 집적회로 공정기술 개발...27
  • 제2편 위탁연구 개발과제...147

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