초록 ▼

α-SiC 분말에 14 wt % 까지 Al₂O₃를 첨가하여 소결 압력과 승온 속도를 변화시키면서 가압 소결한 결과 1900℃에서 이론 밀도의 98% 이상 소결이 가능하였고 이 온도에서 제조한 시편들의 파괴 강도는 알루미나의 첨가량에 관계없이 일정하였다. 소결 은 SiC 표면에 존재하는 SiO₂층과 첨가된 Al₂O₃간의 반응을 통한 액상 도결임을 확인할수 있었고 어느 정도까지의 SiO₂의 존재는 Al₂O₃를 소결도체로 사용할 경우 유용한 것으로 판단된다. 승온속도의 조절과 액상이 출현하는 온도 구간에서 미리 압력을 가하는 공정 조절을

α-SiC 분말에 14 wt % 까지 Al₂O₃를 첨가하여 소결 압력과 승온 속도를 변화시키면서 가압 소결한 결과 1900℃에서 이론 밀도의 98% 이상 소결이 가능하였고 이 온도에서 제조한 시편들의 파괴 강도는 알루미나의 첨가량에 관계없이 일정하였다. 소결 은 SiC 표면에 존재하는 SiO₂층과 첨가된 Al₂O₃간의 반응을 통한 액상 도결임을 확인할수 있었고 어느 정도까지의 SiO₂의 존재는 Al₂O₃를 소결도체로 사용할 경우 유용한 것으로 판단된다. 승온속도의 조절과 액상이 출현하는 온도 구간에서 미리 압력을 가하는 공정 조절을 통해 SiC의 치밀화를 촉진시킬수 있었다. 2wt %의 알루미나를 첨가하여 2050℃에서 소결한 시편은 800 MPa 이상의 파괴강도를 나타낸 반면 Al₂O₃첨가량을 10 wt %까지 증가시켜 200℃ 이상에서 가압 소결할 경우 취약한 비정질의 입계상이 입계에 고르게 분포되어 급격한 파괴강도의 저하를 가져왔다. 파괴 인성은 Al₂O₃의 첨가량에 관계없이 3.5-4.5 MN m(Upper low -3/2) 값을 나타내었다.

목차 Contents

• 제1장 서론...9
• 제2장 문헌조사...11
• 2.1 SiC의 결정구조...11
• 2.2 SiC의 성질...14
• 2.3 SiC의 제법...17
• 2.4 SiC의 소결법...23
• 제3장 실험방법...24
• 제4장 결과 및 고찰...28
• 4.1 Al()O()양 변화에 따른 소결거동...28
• 4.2 SiO()가 SiC소결에 미치는 영향...31
• 4.3 미세조직 발달...37
• 4.4 기계적 성질...38
• 제5장 결론 및 제언...44
• 참고문헌...45