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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 임호빈 |
참여연구자 | 김시열 , 김혜동 , 정길룡 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-07 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200006080 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | CdS.CMD.전착법.광투과층.전기비저항.광투과도.Boron.Cds.CMD.Electrodeposition.Window Layer. |
CdS/CdTe 박막형 태양전지에 필요한 Cds 박막을 CMD법과 Electrodiposition법으로 제조하였다. CMD법으로 제조한 CdS박막은 기판온도가 증가하면 입자의 크기가 증가하고 전지비저항은 감소함을 보인다. 기판온도 400℃에서 광투과도가 70%정도이고 전기비저항이 약 10/sup 5/ Ω-㎝인 박막을 얻을수 있다. 기판온도가 너무 높으면 박막이 Powder 형태로 증착괴고 이것은 Homogeneous 반응때문으로 생각된다. 또한 기판온도가 너무 낮으면 박막층 내부에서 분해반응이 이루어져 박막층에 Pinhole이 나타
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