초록

연구개발의 최종목표 : 신기능 양자구조 헤테로 에피탁시 성장기술 개발
- SEED 소자응용을 위한 Type Ⅱ 양자구조, ACQW(Asymmetrical Coupled)양자구조 개발 , Selective 에피탁시를 이용한 신기능 양자구조 개발
당해년도 연구개발내용 : 2차년도(1992) 당해년도
- 신기능 양자구조 헤테로 에피탁시 개발( 기존 양자구조보다 진보된 개념의 양자구조 개발)
- SEED 소자 응용을 위한 TYPE Ⅱ 양자구조, QW 양자구조 개발

Abstract ▼

The research scope of this 2nd research year is as follows : MBE growth of type II superlattice and characterization, and MOCVD growth of the selective epitaxy and characterization for the quantum wire fabrication, on the bases of the research results of the 1st year. The detailed research contents

The research scope of this 2nd research year is as follows : MBE growth of type II superlattice and characterization, and MOCVD growth of the selective epitaxy and characterization for the quantum wire fabrication, on the bases of the research results of the 1st year. The detailed research contents are as follows : the short period superlattice growth on GaAs and Si substrates by MBE, growth interruption effects on the hetero interface properties when the GaSs/AlGaAs single quantum well is grown by MOCVD, propertiew of center and edge(interface) delta-doped GaAs/AlGaAs quantum well, selective area growth on V-grooed high Miller index GaAs substrates for feasibility of quantum wire fabrication, and the quantum wire fabrication using V-grooved GaAs/AlGaAs substrate. We have tried to get the feasibilities of the new fundamental key technologies about the heteroepitaxy as descried above through this project.

목차 Contents

• 제1장 서론...29
• 제1절 연구개발의 배경, 목적과 범위...29
• 제2절 보고서의 구성...31
• 제2장 분자선 에피탁시에 의한 type II초격자 성장 및 특성...32
• 제1절 type II초격자의 광학적 성질...32
• 1. type II초격자의 특징...32
• 2. type II초격자의 PL 및 라만특성...32
• 제2절 type II초격자의 전기적 성질...41
• 1. type II초격자의 전기적 성질에 대한 최근 연구동향...41
• 2. PICTS 측정과 PICTS이론...45
• 3. PICTS실험결과...47
• 제3절 $Si$ 기판위에 성장한 단주기 초격자의 전기적 성질...54
• 1. $Si$ 기판위의 헤테로 에피의 최근 연구동향...54
• 2. 시료의 성장 및 실험방법...57
• 3. $\mu-Raman$과 PL측정...57
• 4. 깊은준위 특성...67
• 제2장의 참고문헌...72
• 제3장 MOCVD의 성장중단법에 의한 헤테로 에피성장...75
• 제1절 성장중단법의 연구동향...75
• 제2절 성장중단법에 의한 양자우물 성장 및 PL측정...76
• 제3절 성장중단에 의한 PL변화에 대한 연구...77
• 제3장의 참고문헌...90
• 제4장 델타-도핑한 GaAs-AlGaAs 양자우물의 특성연구...91
• 제1절 텔타-도핑한 양자우물의 최근 연구동향...91
• 제2절 델타-도핑한 양자우물 구조의 성장과 특성분석...92
• 1. 델타-도핑 양자우물 구조의 성장...92
• 2. 중앙에 델타-도핑한 양자우물의 특성...93
• 3. GaAs/AlGaAs 계면에 델타-도핑한 양자우물의 특성...96
• 4. 중앙과 계면에 델타-도핑한 시료의 물리적 특성논의...96
• 제4장의 참고문헌...101
• 제5장 MOCVD에 의한 V홈 위의 선택에피 성장...102
• 제1절 선택성장의 의의...102
• 제2절 MOCVD에 의한 V홈 위의 선택에피 성장...103
• 제3절 높은 Miller지수를 갖는 V홈 위의 에피 성장...106
• 1. 에피성장 면의 방위결정...106
• 2. V홈 영역에서의 성장속도...115
• 3. 새로운 소자에의 응용가능성...118
• 제5장의 참고문헌...119
• 제6장 V홈 성장에 의한 양자세선 제작...123
• 제1절 양자세선의 최근 연구 동향...123
• 제2절 양자세선의 이론적 고찰...126
• 1. 반도체 레이저에서 본 양자구속의 영향...126
• 제3절 양자세선 구조 에피성장 및 특성연구...135
• 1. 시료준비...135
• 2. MOCVD에 의한 양자세선 에피성장...136
• 3. 에피택시 층의 특성조사...139
• 4. 양자세선의 특성...143
• 제6장의 참고문헌...155
• 제7장 결론 및 건의 사항...158