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보고서 상세정보

고품위 단결정 성장기술

High Quality Crystal Growht Technology

주관연구기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
연구책임자 민석기
참여연구자 김은규, 김무성, 김용, 김춘근, 박용주, 윤경식, 이종근, 심기대, 박병희, 전인상, 박양근 ...  
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 1993-12
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국과학기술연구원
Korea Institute Of Science and Technology
등록번호 TRKO200200006474
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 수직온도 구배 냉각장치.자기장.결정결함.깊은준위.열적거동.VGF(Vrtical Gradient Freeze).Maguetic Field.Defects.Deeplevel.Themal Behavior.
초록

연구객발 목표 및 내용 :
1. 최종목표
- 고품위 GaAs 반도체 결정성장 기술의 확립(원형, 저결함, 고균질)
2. 당해년도 연구개발 내용
- AM-VGF/VB(Axialmagnetic Field A...

Abstract

The contents and the scopes of this research were as follows.
For the high quality crystal growth of bulk GaAs of 2” in diamete...