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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국표준과학연구원 Korea Research Institute of Standards and Science |
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연구책임자 | 임재영 |
참여연구자 | 이철로 , 이주인 , 노삼규 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1994-09 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국표준과학연구원 Korea Research Institute of Standards and Science |
등록번호 | TRKO200200007334 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 게르마늄.실리콘.변형층.분자선 에피택시.반사고전자 회절.강도진동.주사형 전자 현미경.홀효과.라만.Ge.Si.Strained layer.molecular beam epitaxy.RHEED.intensity oscillation.SEM.Hall.effect.Raman. |
1차년도에는 Ge/Si 에피층 성장을 위한 분자선 에피택시 장치(MBE)를 자체적으로 설계, 제작하고 그 특성을 진단하였다. 2차년도에는 RHEED 강도진동 시스템을 제작하여 Ge 에피층의 초기 성장을 관찰하였다. Si 표면이 double domain 상태일 때는 성장온도가 낮을수록 강도진동이 잘 일어났으며, 성장온도가 400 ℃이상일 때는 강도진동이 전혀 일어나지 않았다. Si 표면이 single domain일 때 강도진동은 400 ℃ 이상에서도 나타났으나 성장온도가 낮을수록 잘 일어났다. [011]과 [001] 방향에서의 강도진
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