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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 정순효 |
참여연구자 | 오영주 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-08 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200007962 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 고온초전도체.임계전류밀도.임계온도.고온상비율.배향도.High Temperature Superconductor.Critical Currant Density.Critical Temperature.Traction of High Tc Pphase.Degree of Orientation. |
임계전류밀도가 높은 Bi계 고온초전도체의 최적합성법 및 합성조건을 규명하기 위하여 Matrix 반응법, 고상반응법, 용융급냉 Annealing법 Ag Foil상 도포 Film Annealing 법에 따라 Bi계 고온초전도체를 합성하고 화학조성, 하소 및 마광조건, 냉간가공 및 Annealing조건이 고온상 생성율, 배향도 및 초전도체 특성에 미치는 영향을 조사하였다. Matrix 반응법에서는 냉간가공과 Annealing의 반복을 통하여 고온상비율을 47%, 배항도를 85%로 향상가능하였으며 임계온도를 104K, 77K 임계전류밀도를
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