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NTIS 바로가기주관연구기관 | 광전자반도체(주) 부설 연구소 AUK Corp. |
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연구책임자 | 조장연 |
참여연구자 | 이형재 , 라용춘 , 김찰상 , 이철수 , 김기용 , 이은철 , 표진구 , 송성진 , 서은경 , 임기영 , 전형일 , 이병철 , 김용준 , 차상석 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1995-09 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 광전자반도체(주) 부설 연구소 AUK Corp. |
등록번호 | TRKO200200007986 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
가. GaInP 성장층의 N Doping 제어:InGaP 성장층의 doping을 위하여 S, Se, Te를 첨가하여 LPE한 시료들에 대한 PL 측정에 의한 발광 특성의 조사로부터 최적 dopant를 정하였다. 20K 에서 측정된 PL Peak는 2.26eV와 2.18eV에서 나타나 보였으며 X-band와 관련된 donor level과 residual acceptor 사이의 transition에 의한 것으로 알려진 2.18eV peak의 크기는 S, Se, Te에 대해 각각 4×1017cm3
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