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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 이형재 |
참여연구자 | 최병두 , 입기영 , 서은결 , 정원국 , 이용희 , 양계모 , Dapkus , 라용춘 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1995-10 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
등록번호 | TRKO200200008064 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
본 연구개발 목표인 980 nm 발진파장을 갖는 InGaAs/AlGaAs 표면발광 반도체 레이저 제작을 위하여 본 연구에서는 한국 연구진과 미국 및 일본 연구진이 공동으로 연구개발을 수행하였다.
1) 국내 연구진
① 본 연구의 국내 연구진은 각각 상압 유기금속기상 화학증착법(MOCVD)과 저압 MOCVD법을 사용하여 InGaAs/AlGaAs 표면발광 반도체 레이저를 성장, 제작하여 1 μs pulse로 구동하여 발진시켰으며 80 μm의 폭을 갖는 소자의 경우 최소 임계전류는 200 mA 였다.
② 전북대에서는
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