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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
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연구책임자 | 이진효 |
참여연구자 | 이진효 , 김창수 , 이윤우 , 오계환 , 이종덕 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국전자통신연구원 Electronics and Telecommunications Research Institute |
등록번호 | TRKO200200008149 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 기억소자.설계.공정.소자.시험검사.재료.장비.회로.물성분석.엑시머레이저.식각.시뮬레이션.트랜지스터.커패시터.적층형.Cell.Transistor.Capacitor.16M DRAM.64M DRAM.Design Rule.Trench. |
초고집적 반도체기술 (차세대 기억소자) 공동개발 3차년도에는 당초 목표대로 0.4-0.3 ㎛ 64M DRAM 1차 설계 완료 및 셀 기본동작을 확인하였고 0.4㎛ 소자변수 신뢰성 및 0.4㎛이하 미세형상기술 등을 확보하였다. 장비 기술분야에서는 엑시머레이저 스텝퍼 제작을 위한 정렬계, 광원계, 광학계 등 핵심모듈 설계와 1차 시제품 제작이 진행되었다. 아울러 재료기술 분야에서는 엑시머 레이저 및 엑스 레지 레지스트 0.4㎛ 실험 시제품 패턴형성이 이루어졌고 대구경- 실리콘 웨이퍼(8인치) 단결정을 성장하여 웨이퍼를 개발중이다. 공동
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