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초고집적 반도체기술(차세대 기억소자)공동개발 - 3차년도
Joint Development of ULSI Semiconductor Technology(Next Generation Memory Device) - The 3rd year 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
연구책임자 이진효
참여연구자 이진효 , 김창수 , 이윤우 , 오계환 , 이종덕
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월1992-04
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 한국전자통신연구원
Electronics and Telecommunications Research Institute
등록번호 TRKO200200008149
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 기억소자.설계.공정.소자.시험검사.재료.장비.회로.물성분석.엑시머레이저.식각.시뮬레이션.트랜지스터.커패시터.적층형.Cell.Transistor.Capacitor.16M DRAM.64M DRAM.Design Rule.Trench.

초록 ▼

초고집적 반도체기술 (차세대 기억소자) 공동개발 3차년도에는 당초 목표대로 0.4-0.3 ㎛ 64M DRAM 1차 설계 완료 및 셀 기본동작을 확인하였고 0.4㎛ 소자변수 신뢰성 및 0.4㎛이하 미세형상기술 등을 확보하였다. 장비 기술분야에서는 엑시머레이저 스텝퍼 제작을 위한 정렬계, 광원계, 광학계 등 핵심모듈 설계와 1차 시제품 제작이 진행되었다. 아울러 재료기술 분야에서는 엑시머 레이저 및 엑스 레지 레지스트 0.4㎛ 실험 시제품 패턴형성이 이루어졌고 대구경- 실리콘 웨이퍼(8인치) 단결정을 성장하여 웨이퍼를 개발중이다. 공동

목차 Contents

  • 제1장 서론...17
  • 제 2 장 64M DRAM 제품기술 분야...21
  • 제 1 절 설계기술...23
  • 제 2 절 소자기술...54
  • 제 3 절 종합공정기술...92
  • 제 3 장 단위공정기술 분야...135
  • 제 1 절 배선공정기술 개발...137
  • 제 2 절 입체축전공정기술 개발...154
  • 제 3 절 3-D Capacitor 공정기술 개발...181
  • 제 4 장 요소기술 분야...199
  • 제 1 절 Cell구조 연구...201
  • 제 2 절 선행공정기술 연구...232
  • 제 3 절 위상반전마스크기술 개발...255
  • 제 5 장 장비기술 분야...275
  • 제 1 절 엑시머 레이저 스텝터기술 개발...277
  • 제 2 절 정렬계기술 개발...298
  • 제 3 절 엑시머 레이저(ArF)기술 개발...316
  • 제 4 절 엑시머 레이저용 광학계기술 개발...332
  • 제 6 장 재료기술 분야...353
  • 제 1 절 대구경 실리콘 웨이퍼 개발...355
  • 제 2 절 엑시머 레이저 레지스트 재료의 개발...367
  • 제 3 절 엑시머 레지스트 재료의 개발...376
  • 제 7 장 기초기술 연구 분야...393
  • 제 1 절 서론...395
  • 제 2 절 본론...397
  • 제 3 절 결론...450
  • 제 8 장 공동연구관리 분야...451
  • 제 1 절 서론...453
  • 제 2 절 본론...454
  • 제 3 절 결론...467
  • 제 9 장 결론...469
  • 부록 1. 참여 연구원 명단...473

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참고문헌 (25)

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