초록 ▼

<전자빔을 이용한 금속계 박판 제조 기술 분야>
- 본 연구를 통해 전자빔 용해 정치 및 코팅장치의 개량 및 설치를 성공적으로 구성함.
- 진공아크 용해 및 전자빔 용해장치로 버튼 형태의 Ti-Ni합금의 타겟을 제조.
- 전자빔 용해 및 코팅장치를 이용하여 Ti-Ni합금 박막을 제조.
<전자빔을 이용한 세라믹 TBC 기술 분야>
- 전자빔 용해 및 코팅장치를 이용하여 융점이 2677℃인 지르코니아 및 bond코팅층의 재료인 Ni-22wt.%Cr-10wt.% Al-1wt.%Y의 분말을 전자빔으로 용

<전자빔을 이용한 금속계 박판 제조 기술 분야>
- 본 연구를 통해 전자빔 용해 정치 및 코팅장치의 개량 및 설치를 성공적으로 구성함.
- 진공아크 용해 및 전자빔 용해장치로 버튼 형태의 Ti-Ni합금의 타겟을 제조.
- 전자빔 용해 및 코팅장치를 이용하여 Ti-Ni합금 박막을 제조.
<전자빔을 이용한 세라믹 TBC 기술 분야>
- 전자빔 용해 및 코팅장치를 이용하여 융점이 2677℃인 지르코니아 및 bond코팅층의 재료인 Ni-22wt.%Cr-10wt.% Al-1wt.%Y의 분말을 전자빔으로 용해하여 증착실험의 고순도 타겟을 제조.
- 공정변수를 달리하여 세라믹 및 bond 코팅층을 전자빔으로 증착시켜 Inconel 617의 기판에 코팅.
- 세라믹 코팅층을 XRD 분석한 결과 준 안정한 tetragonal 상이 존재하였으며 완전 결정화를 위하여 기판의 온도를 더 증가시켜야 한다고 사료됨.
- 코팅층의 단면을 관찰한 결과 금속 bond 코팅층과 기판과의 게면은 매우 치밀하게 이루어져 접착성이 우수한 것으로 조사되었고, bond 코팅층과 세라믹층과의 계면에 서 분리되어 있는 면이 관찰됨.
<미립질 금속분말의 제조공정 분야>
- 기화온도가 증가하는 경우 염화철의 증기압이 증가.
- 반응온도가 상승할수록 초기반응속도와 함께 반응율이 증가하는 경향을 나타냈고, 반응온도가 550℃의 경우 반응율이 상당히 낮아 염화철의 상당부분이 미반응상태로 배출되었으며, 염화철의 수소환원반응시 반응온도는 최소한 700℃ 이상은 되어야 함.
- 염화철의 수소환원반응에 대한 Modelling을 통하여 반응속도상수와 Activation Energy를 구한 결과, 속도상수를 k=7,879 exp(-12,820/RT)와 같이 표시되었고, Activation Energy는 12.82 kcal/mole 이었음.
- 생성된 철분말의 입도측정 결과 반응온도 및 가스유량변화에 따른 입도분포는 큰 차이가 없는 것으로 관찰되었으며, 대체로 0.1-1.0㎛의 범위인 것으로 나타남.

목차 Contents

• 제1부 전자빔을 이용한 금속계 박판 제조 기술 개발...31
• 제1장 서 론...33
• 제2장 국내외 기술개발 현황...35
• 제1절 $Ti-Ni$ 합금...35
• 제2절 형상기억효과와 종류...36
• 1. 일방향 형상기억효과...37
• 2. 이방향 형상기억효과...38
• 3. 전방위 형상기억효과...38
• 제3절 의 탄 성...39
• 제4절 전자빔 용해 및 코팅장치...40
• 1. 개 요...40
• 2. 전자빔 용해 및 코팅 장치의...41
• 2-1. 전자총...41
• 2-2. 진공장치...47
• 3. 전자빔 용해 장치의 정련...48
• 3-1. 전자빔 용해시의 온도 추산...48
• 3-2. 증발 및 탈가스...49
• 3-3. 용질제거의 속도론적 모델...54
• 제3장 연구개발 수행 내용 및 결과...57
• 제1절 실험 방법...57
• 제2절 전자빔 용해 및 코팅장치...58
• 1. 개 요...58
• 2. 전자빔 용해 및 코팅장치의 구성...60
• 2-1. 전자총...60
• 2-2. Bar feeder 와 Granule feeder...61
• 2-3. 진공장치...62
• 2-4. 진공챔버와 수냉각 장치...63
• 2-5. 전자빔 용해 및 코팅장치에 대한 작용 설명...64
• 제3절 연구개발 내용...68
• 제4절 연구개발 결과 및 고찰...71
• 제4장 연구개발 목표 달성도 및 대외 기여도...73
• 제5장 연구개발 결과의 활용계획...75
• 제6장 참고문헌...77
• 제2부 전자빔을 이용한 세라믹 TBC기술 개발...79
• 제 1 장 서론...81
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황...85
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...87
• 제 1 절 이론적 배경...87
• 제 2 절 연구개발내용...92
• 제 3 절 연구개발결과...96
• 1. 코팅층의 성분 분석...96
• 2. 코팅층의 상 분석...98
• 3. 코팅층의 미세조직 관찰...98
• 4. 고찰...102
• 제 4 장 연구개발목표달성도 및 대외기여도...105
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...107
• 제 6 장 참고문헌...109
• 제3부 미립질 금속 분말의 제조 공정 개발...111
• 제 1 장 서 론...113
• 제 2 장 국내외 기술개발 현황...115
• 제 1 절 세계 주요국의 P/M 산업 현황...115
• 1. 카나다...115
• 2. 유 럽...118
• 3. 일 본...118
• 4. 미 국...120
• 제 2 절 금속분말제조...121
• 제 3 장 연구개발수행 내용 및 결과...125
• 제 1 절 실험 방법...125
• 제 2 절 결과 및 검토...127
• 1. 반응조건에 따른 염화철의 반응율...127
• 2. 환원반응 모델을 통한 반응기구 해석...132
• 3. 생성입자의 입도분포...136
• 제 3 절 결 론...140
• 제 4 장 연구개발목표 달성도 및 대외기여도...143
• 제 1 절 연구개발목표의 달성도...143
• 1. 당해연도 연구목표 및 내용...143
• 2. 연구개발목표의 달성도...143
• 제 2 절 대외기여도...143
• 제 5 장 연구개발결과의 활용계획...145
• 제 1 절 추가연구의 필요성 및 계획...145
• 제 2 절 가스증발법에 의한 미립분말의 제조...145
• 제 6 장 참고문헌...147