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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 Seoul National University |
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연구책임자 | 민홍식 |
참여연구자 | 송명호 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1986-12 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 서울대학교 Seoul National University |
등록번호 | TRKO200200011995 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
본 연구의 목적은 반도체 소자에서 발생하는 잡음중 저주파에서 가장 중요한 1/f잡음의 발생원인을 규명하는 것이다. 그러기 위하여 우선 전자와 hole의 전도현상을 설명해주는 가장 기본 방정식인 Boltzmann 수송 방정식에 들어가는 Langevin잡음원을 찾아 내었다. 다음 Langevin-type Boltzmann 수송 방정식을 풀어서 일차원의 균질 및 비균질 반도체에서 성립하는 Short circuited잡음 전류에 대한 일반공식을 유도하였다. 이 일반공식 속에 우리의 1/f잡음 이론도 포함되어 있다. 우리가 제안한 1/
The aim of this research is to verify the cause of 1/f noise in semiconductors and semiconductor devices, which is the most important noise in semiconductor devices in the low frequency ranges. To do so, first the Langevin noise sources have been derived for the Boltzmann transport equations which a
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