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NTIS 바로가기주관연구기관 | 부산대학교 Busan National University |
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연구책임자 | 이경수 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1986-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 부산대학교 Busan National University |
등록번호 | TRKO200200012571 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
본 연구에서는 첫째, Si공간 전하층내 전자에 대한 띠구조 영향을 유효질량근사 관점에서 상세히 살펴보았다. 임의의 표면 배향을 갖는 주어진, 공간전하층내 전자의 운동을 특징 지우는 전자유효질량텐서를 고찰한 다음 광흡수 현상에 유용하게 쓰일 몇가지 sum-rule을 얻었다.
Si의 띠구조 특성의 하나인 여러 valley구조는 전자에 의한 부띠 채워짐에 있어서 복잡한 요인의 하나로 작용한다. 본 연구에서는, 둘째로, valley축퇴도가 부띠에너지구조에 주는 영향을 정성적으로 알아본 다음 이에 대한 몇가지 정량적인 계산방법을 살펴
The electronic properties of surface space charge layers on silicon whose constant energy surfaces are ellipsoids arbitrarily oriented with respect to the interface are investigated. The electronic subband structure and the optical absorptions are examined. The anisotropy in the effective mass must
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