초록

Si을 기판으로하고 SiO?를 기저층 및 덮개층으로하는 단일모드 Si?N? rib 도파로를 CVD 방법으로 제작하였다. 제작된 Si?N?/SiO?/Si 도파로를 모드굴절률을 조사하기 위하여 Si?N?/SiO? 계면에 브래그 격자를 제작하고 브래그필터의 투과스펙트럼 측정으로부터 모드굴절률과 투과대역폭을 결정하여 이를 계산과 비교하였다. 제작된 도파로의 코어층에 미세히터와 silicone rubber의 덮개층을 올려 필터 파장을 가변할 수있는 도파로 가변 필터소자를 제작하였다. 그 결과 2.2 nm/mW의 파장가변특성을 얻었다.

Abstract ▼

Single mode Si?N? rib waveguide with a cover and a base layer of SiO? on Si substrate is fabricated by CVD method. Bragg grating at the interface of Si?N? and SiO? is fabricated to study the mode index of the fabricated waveguide of Si?N?/SiO?/Si. The mode index and the transmission bandwidths are

Single mode Si?N? rib waveguide with a cover and a base layer of SiO? on Si substrate is fabricated by CVD method. Bragg grating at the interface of Si?N? and SiO? is fabricated to study the mode index of the fabricated waveguide of Si?N?/SiO?/Si. The mode index and the transmission bandwidths are determined by the measurements of the transmission spectrum of Bragg filter and compared with that of calculation. Waveguide Bragg filters loaded with the micro-heater of Cr film and the cladding of silicone rubber are made to control the Bragg wavelength of the filter. This device showed the wavelength shift of 2.2 nm/mW.

목차 Contents

• 목차...5
• I. 서론...8
• II. 이론...11
• 1. 도파모드의 계산...11
• 2. 브래그격자 도파로...13
• III. 제작 및 특성 측정...15
• 1. $Si_3N_4-SiO_2$ 도파로의 제작...15
• 2. $Si_3N_4-SiO_2$ 도파로 가변 브래그필터의 제작...15
• 3. 도파로 브래그필터의 특성측정...17
• 4. 가변 브래그필터 도파로...18
• IV. 결과 및 검토...20
• 인용문헌...21