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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
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연구책임자 | 장기주 |
참여연구자 | 이인호 , 정병호 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술원 Korea Advanced Institute of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200013938 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 반도체.실리콘.갈륨비소.수소.비활성화.확산 semiconductors.Si.GaAs.H.passivation.diffusion.hydrogen.Si.GaAs.pessivation.diffusion. |
결정질 실리콘 및 갈륨비소 내의 수소 결합의 특성을 제일 원리 쑤도포 텐셜 방법으로 연구했다. 여러 가지 수소의 위치를 single 또는 double acceptor 근처에서 조사했다. double acceptor 와 host 물질이 이루는 마름모의 중앙위치인 C 위치에 수소가 있을 때 H-double 및 2H-double acceptor 합성체의 가장 안정한 구조였다. 더우기 이러한 double acceptor 는 2H-double acceptor 합성체를 형성하여 완전히 비활성화된다. Be 원자가 Ga 원자를 대신하는 경우는
The nature of hydrogen bonding in cryatalline Si and GaAs is investigated using first-principles self-consistent psedopotential method. The energetics of various hydrogen interstitial position are studied for single and double acceptor impurities in Si and GaAs.
For monatomic- and diatomic-hydro
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