초록 ▼

비정질 규소 반도체는 제작의 용이성 및 물리적 성질의 특이함으로 인하여 그 응용성이 다양하다. 태양전지나 넓은 면적의 박막 트랜지스터와 같은 소자제작에 특히 유리하다. 그러나 이 물질이 갖고 있는 준안정성 현상(metastability)으로 인하여 그 이용성이 제한받고 있으며 이 현상의 원인을 이해하는 것이 매우 중요하다. 비정질 규소의 준안정성은 여러가지 외적 요인 (조광, 전류, 급냉동)에 의해 발생되는데 본 연구에서는 조광과 급냉에 의한 준안정성을 연구하였다. 준안정성에 대한 지금까지의 연구들은 주로 실온에서 조광을 하여

비정질 규소 반도체는 제작의 용이성 및 물리적 성질의 특이함으로 인하여 그 응용성이 다양하다. 태양전지나 넓은 면적의 박막 트랜지스터와 같은 소자제작에 특히 유리하다. 그러나 이 물질이 갖고 있는 준안정성 현상(metastability)으로 인하여 그 이용성이 제한받고 있으며 이 현상의 원인을 이해하는 것이 매우 중요하다. 비정질 규소의 준안정성은 여러가지 외적 요인 (조광, 전류, 급냉동)에 의해 발생되는데 본 연구에서는 조광과 급냉에 의한 준안정성을 연구하였다. 준안정성에 대한 지금까지의 연구들은 주로 실온에서 조광을 하여 연구하였으며 따라서 어떠한 새로운 결과의 도출이 어려웠고 준안정 현상을 이해하는데 어려움이 있었다.본 연구에서는 조광온도를 150˚C이상으로 확대하여 연구하였으며 또한 준안정재결합 결함과 총 준안정 결함의 열적 소멸을 동시에 측정하여 이들의 성격을 연구하였다. 둘째는 급냉에 의해서 생성된 준안정 상태와 조광에 의해서 생성되는 준안정 사이의 관련성과 준안정 결함발생에 1차적으로 관여하는 변수를 조광에 의한 결함발생의 포화현상을 이용하여 연구하였다.

Abstract ▼

Amorphous silicon semiconductor have attracted considerable attention for the particularity of its physical properties, the ease of preparation, and applications in several aspects. In particular, it is useful to fabricate Solar cell and large area thin film transistor(TFT). However, its use for a

Amorphous silicon semiconductor have attracted considerable attention for the particularity of its physical properties, the ease of preparation, and applications in several aspects. In particular, it is useful to fabricate Solar cell and large area thin film transistor(TFT). However, its use for applications is limited by metastability in amorphoud silicon. It is very important to understand the nature and the mechanism of metastability in amorphous silicon is induced by various post-growth treatments, usch as light illumination, current injection, and rapid cooling etc. Until now, studies of the metastability was carried out by room temperature light illumination and thus it is difficult to understand it. In this study, we have studied the metastability induced by light soaking above 150 C, the annealing behaviors of metastable recombination centers and total electronically active-defects as they are simultaneously measured, the correlation between light-induced and thermal induced metastabilities, and material parameter which plays a dominant role in metastability.

목차 Contents

• 1. 서론...6
• 2. 고온 조광에 의한 준안정성 (Hight-Temperature Light-Induced Metastability)...9
• (1) 서론...9
• (2) 실험방법...10
• (3) 결과 및 토의...11
• (4) 참고문헌...23
• 3. 조광과 급냉에 의한 준안정신 사이의 관련성...24
• (1) 서론...24
• (2) 실험방법...24
• (3) 결과 및 토의...25
• (4) 참고문헌...31
• 4. 준안정 포화 결함밀도와 비가역 결함밀도 사이의 관련성...32
• (1) 서론...32
• (2) 실험방법...33
• (3) 결과 및 토의...34
• (4) 참고문헌...40
• 5. 결론...41