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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서강대학교 Sogang University |
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연구책임자 | 안철 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1992-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 서강대학교 Sogang University |
등록번호 | TRKO200200014636 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 |
Thick film.Resistor. |
RuO? 를 전도 매체로 한 후막 저항체를 RuO?의 양, glass 의 성분, 소결 온도를 변화시키며 제작하여 그 전기적 특성을 관찰하였다. 면저항은 RuO?의 양이 증가할수록 감소하였고 소결 온도가 높을수록 증가하였다. 또 Bi?O?의 증가에 따라 면저항이 감소하였다. TCR은 RuO?의 양이 증가함에 따라 (-)에서 (+)로 증가하였고 B50-glass를 제외한 경우 소결 온도가 올라갈수록 (+)에서 (-)로 감소하였다. Bi?O?의 증가에 따라 TCR 은 (+)로 보정되는 것을 알 수 있었다.
The dependence of electrical characteristics of RuO?-based thick film resistors on the RuO? contents. glass composition variation and the firing temperatures were measured. It was shown that the sheet resistance of resistors was decreased as the contents of RuO? increased. At firing temperature high
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