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보고서 상세정보

광 CVD법에 의한 InP게이트 절연막성장에 관한 기초연구

Basic Study of gate insulator films on InP growth by Photo-CVD

주관연구기관 포항공과대학교
Pohang University of Science and Technology
연구책임자 정윤하
참여연구자 정동호, 이재학
발행국가 대한민국
언어 한국어
발행년월 1990-02
주관부처 과학기술부
사업 관리 기관 포항공과대학교
Pohang University of Science and Technology
등록번호 TRKO200200016115
DB 구축일자 2013-04-18
키워드 Phosphorus-nitride.Photo-CVD.AES.XPS.InP NIS.Interface.Phosphorus-nitride.Photo-CVD.AES.XPS.InP NIS.Interface.
초록

in-situ etching 및 직접 광여기 CVD 공정을 이용하여 PN on InP를 각종 성장 조건에서 제조후 Ellipsometry, AES, XPS, C-V plotter등의 분석장비를 이용하여 성장율, 굴절율 및 조성비 등의...

Abstract

Phosphorus-nitride(PxNy) films were deposited on InP surface by a direct photochemical vapor deposition (Photo-CVD) technique usin...

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