초록 ▼

in-situ etching 및 직접 광여기 CVD 공정을 이용하여 PN on InP를 각종 성장 조건에서 제조후 Ellipsometry, AES, XPS, C-V plotter등의 분석장비를 이용하여 성장율, 굴절율 및 조성비 등의 물리화학적 특성평가와 계면상태밀도의 측정 및 절연막내의 전도현상 파악 등 전기적특성 평가로 InP MIS 소자의 제조에 관한 연구를 수행하였다. 광CVD법에 의해 얻어진 질화인막 특성평가 결과 막 성장온도가 증가함에 따라 막의 증착속도는 감소하여 NH3유량의 증가와 반응압력의 증가에 따라 성막속

in-situ etching 및 직접 광여기 CVD 공정을 이용하여 PN on InP를 각종 성장 조건에서 제조후 Ellipsometry, AES, XPS, C-V plotter등의 분석장비를 이용하여 성장율, 굴절율 및 조성비 등의 물리화학적 특성평가와 계면상태밀도의 측정 및 절연막내의 전도현상 파악 등 전기적특성 평가로 InP MIS 소자의 제조에 관한 연구를 수행하였다. 광CVD법에 의해 얻어진 질화인막 특성평가 결과 막 성장온도가 증가함에 따라 막의 증착속도는 감소하여 NH3유량의 증가와 반응압력의 증가에 따라 성막속도는 증가하였다. AES 및 XPS의 분석 결과 막 내부에서는 P?N?, PxONy 이었으며, PN/InP의 계면부근에서는 InPO?, P, InN, In?O? 등을 나타내었다. 증착전, 증착후 열처리를 행함으로써 계면의 전기적인 특성이 향상되었다.

Abstract ▼

Phosphorus-nitride(PxNy) films were deposited on InP surface by a direct photochemical vapor deposition (Photo-CVD) technique using a gaseous mixtures of PCl?, NH?, and H?. The effects of deposition temperature, NH 3 flow rate, and deposition pressure on the deposition rates and the refractive indic

Phosphorus-nitride(PxNy) films were deposited on InP surface by a direct photochemical vapor deposition (Photo-CVD) technique using a gaseous mixtures of PCl?, NH?, and H?. The effects of deposition temperature, NH 3 flow rate, and deposition pressure on the deposition rates and the refractive indices were studied. The film deposition rate and refractive index were about 20 A/min and 1.7-1.8 at 150? deposition temperature. Surface analysis, in-depth profile and composition ratio of P and N, and chemical nature of the PN films were studied using AES(Auger electron spectroscopy) and XPS(X-ray photoelectron Spectroscopy). From AES data, the components of the PN films were P, N, and small amount oxygen. XPS data showed the binding type of the film were P?N? and PxONy in the outer film and P?N?, PxONy, InPO?, P, InN, In?O? at the interface of PN/InP Interface properties were found to be critically dependent upon the insitu pretreatment and in-situ posttreatment temperature. The density of interface state density, Nss, was reduced from 5.17 X 10??/cm? ?V at about 0.64 eV below the conduction band to 2.83 X 10??/cm? ?V at about 0.45 eV below the conduction band by in-situ treatment. The results obtained in this work suggest that the photo-CVD technique is promising for compound semiconductor device fabrication process.

목차 Contents

• 1. 서 론...6
• 2. 이 론...8
• 3. 실 험 방 법...14
• 4. 결 과 및 고 찰...21
• 5. 결 론...49
• 6. 인 용 문 헌...50
• 첨 부 #1 발표실적 또는 계획...52