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NTIS 바로가기주관연구기관 | 대전공업대학교 Hanbat National University |
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연구책임자 | 구본급 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1993-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 대전공업대학교 Hanbat National University |
등록번호 | TRKO200200016228 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 후막저항체.전기전도기구.이온전도기구.금속전기전도기구.호핑전도.Thick.Film.Resistor.Conductor.Electrical Conduction Mechanism. |
1. 혼성집적회로에 사용되는 후막저항체의 기초연구로써 저항이 다른 후막저항체계를 여러조건으로 막을 형성하여 이들의 교류전기전도도의 주파수 특성을 연구하여 전기전도기구를 규명하였다. 연구결과 후막저항체의 전기전도기구는 저항범위에 따라 반응조건에 따라 다르게 나타났다. 즉 저항이 낮은 저항체는 소결온도에 상관없이 금속과 같은 전기전도를 하는 도전분말에 의해 모두 금속과 같은 전기전도기구를 나타냈으며, 저항이 낮은 저항체는 소결조건에 따라 전기전도기구가 다르게 나타났다. 즉 저온(600 ℃)에서는 유리만의 전기전도 특성에 해당하는 이온
1. As a function of heat treatment conditions, the electrical conduction mechanisms of RuO? based thick film resistor were investigate by the way ferquency depandance of ac conductivity. The conduction of low sheet resistance TFRs is metallic like conduction independent reaction temperature. And the
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