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NTIS 바로가기주관연구기관 | 청주대학교 Chengju University |
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연구책임자 | 김광호 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1993-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 청주대학교 Chengju University |
등록번호 | TRKO200200016588 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | GaAs 재료.GaAs MIS 디바이스.계면특성.고온 단시간 열처리.MBE.GaAs material.GaAs MIS device.interface property.rapid thermal annealing(RTA).MBE. |
GaAs 재료는 Si에서는 얻을 수 없는 여러가지 특징을 갖고 있기 때문에 차세대 집적 회로의 유력한 후보의 하나로서 주목을 받고 있다. 트기ㅎ, 초고속 저전력회로를 실현하기 위해서는 MIS(금속-절연물-반도체)디바이스를 제작할 필요가 있으나, GaAs에 있어서는 절연물과의 계면에 고밀도의 계면준위가 존재하기 때문에 아직 양호한 디바이스는 얻지를 못하고 있는 실정이다. 본 연구는 초고진공상태에서 GaAs 와 불화물을 연속적으로 성장시켜 깨끗한 GaAs-MIS계면을 형성하여 양호한 계면특성의 GaAs-MIS 디바이스를 얻는 것을
Due to their superior transport properties, such as high mobility and large saturation velocity and high and direct energy gap, the GsAs is attracting increased attention for use in high frequency devices and digital integrated circuits. Especially, the achienement of GaAs MISGET is attractive poin
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