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NTIS 바로가기주관연구기관 | 동국대학교 DongGuk University |
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연구책임자 | 조훈영 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1996-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 동국대학교 DongGuk University |
등록번호 | TRKO200200017322 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 수소화.반도체.불순물.계면상태.금속산화반도체.Hydrogenation.Semiconductor.Impurities.Interface states.MOS. |
반도체 소자의 집적도가 점점 향상되고 고속동작의 필요성이 증가함에 따라 반도체 및 절연체에서 나타나는 원자규모의 결함상태들이 미세 소자 제작시 소자 효율 및 소자 안정도에 더욱 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 따라서 이러한 결함 상태들의 물리적 현상들을 더욱 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 따라서 이러한 결함 상태들의 물리적 현상들을 규명하는 연구가 오래 전부터 연구되어 왔으며, 현재 더욱 활발히 진행되고 있다. 특히 이들 재료의 표면과 계면에서는 결함 상태 및 불순물과 관련된 물리화학적 상호작용들이 우세하게 나타나
As the integration of the devices in increased, it is known thatthe role of the microscopic defects in the insulating and the semiconductor materials ismore important in the device performance. Therefore, the microscopic origin and thephysical phenomenon on the microscopic defects have been de
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