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NTIS 바로가기주관연구기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
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연구책임자 | 이명훈 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1999-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 전북대학교 Chonbuk National University |
등록번호 | TRKO200200018287 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 폴리이미드.폴리이미드 전구체.저유전 박막.감광선 폴리이미드.lithography.반도체.Polyimides.Polyimide precursor.low-dielectric.photosensitive.Polyimide.lithography.semiconductor. |
내열성이 높고 절연 특성이 우수할 뿐 아니라 기계적인 강도가 좋은 폴리이미드는 반도체 제죄 저유전 박막으로 사용할 경우 유전 박막으로 가공한 후 다시 감강성 수지를 도포하고 이를 lithography 등의 방법을 통핸 patterning 한 다음 폴리이미드 박막을 etching 하고 감광성 수지 박막을 제거해야 하는 등 복잡한 가공 공정을 필요로 하고 있어왔다. 최근 이러한 복잡한 공정을 감광성이 있는 폴리이미드 전구체를 사용하여 단순화하려는 여구가 주목받고 있는데, 이러한 감광성 전구체의 종류가 많지 않고 각각의 경우도 안정성이나
Polyimides have been used in semiconductor fabrication as a low-dielectric interlayer material due to their high-temperature resistance, low dielectric properties, and good mechanical properties. In thier frabication processes, a multi-step photolithographic process has to be used which includes pat
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