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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한양대학교 HanYang University |
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연구책임자 | 정용선 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1999-04 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학재단 Korea Science and Engineering Foundtion |
등록번호 | TRKO200200019716 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | β-SiC 박막.선택적 화학기상증착.기판.mask 재료.식각.핵 생성 및 성장.표면 조도.전기적 특성.β-SiC thin film.selective chemical vapor deposition.substrate.mask material.etching.nucleation & growth.surface roughness.electrical properties. |
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