초록 ▼

$\beta$-SiC는 고온, 고속, 대용량 전자 소자를 위한 유용한 반도체 재료이다. SiC는 2.0 eV 이상의 밴드갭 에너지를 갖고 있기 때문에 SiC를 이용한 소자는 Si 소자보다 더 높은 온도범위에서 사용될 수 있다. 그러나 SiC의 열적, 화학적 안정성 때문에, 소자 제작을 휘해 필요한 SiC의 patterning을 위해 일반적인 습식 식각 방법을 사용하는 것이 매우 곤란하며 건식 식각 기술을 사용하더라도 식각된 표면이 소자 활용에 적합하지 못한 문제점이 있다. 따라서 SiC의 선택적 증착 기술이 pa

$\beta$-SiC는 고온, 고속, 대용량 전자 소자를 위한 유용한 반도체 재료이다. SiC는 2.0 eV 이상의 밴드갭 에너지를 갖고 있기 때문에 SiC를 이용한 소자는 Si 소자보다 더 높은 온도범위에서 사용될 수 있다. 그러나 SiC의 열적, 화학적 안정성 때문에, 소자 제작을 휘해 필요한 SiC의 patterning을 위해 일반적인 습식 식각 방법을 사용하는 것이 매우 곤란하며 건식 식각 기술을 사용하더라도 식각된 표면이 소자 활용에 적합하지 못한 문제점이 있다. 따라서 SiC의 선택적 증착 기술이 patterning을 성취할 수 있는 효율적인 방법이다. 이러한 증착 기술을 이용함으로서, SiC를 고온환경의 소자를 위한 반도체 재료로 사용하는 것이 가능하다.
집적회로와 같은 전자제품의 소재생산에 있어서, 집적회로 기판 위에 금속이나 반도체와 같은 재료를 일반적으로 원하는 곳에만 박막으로 증착시쳐야 할 필요가 있으며 두께가 균일하고 표면상태가 평탄한 박막으로 증착시켜야 할 필요성이 있다. 이와 같은 공정에 있어서 자주 문제가 되는 것은 어떻게 원하는 곳에만 박막을 증착시킬 수 있으며 또한 증착될 물질이 어느 정도로 균일하게 박막을 형성할 수 있는가 하는 것이다.

Abstract ▼

$\beta$-SiC is a favorable semiconductor material for high temperature, high power and high speed electronic devices. SiC device can be used at higher temperature range than that of Si device, due to its wide band gap energy more than 2.0 eV. However, it is very difficult to use a convent

$\beta$-SiC is a favorable semiconductor material for high temperature, high power and high speed electronic devices. SiC device can be used at higher temperature range than that of Si device, due to its wide band gap energy more than 2.0 eV. However, it is very difficult to use a conventional wet etching technique for the SiC patterning that is required for device fabrications, because of the chemical and the thermal stabilities of SiC. Although dry etching techniques can be used, the etched surface becomes unsuitable for a microelectronic device application. Therefore, the selective deposition technique of SiC becomes one of the promising methods to achieve the patterning successfully. Using this deposition technique, it will be able to use SiC as a semiconductor material for the high temperature devices.
It is often necessary to deposit the smooth and uniform layers of materials such as metals or semiconductors on a microelectronic substrate and such depositions must sometimes be made on the patterned openings in the substrate.

목차 Contents

• 표지...1
• 목차...2
• 1. 제출문...3
• 2. 연구계획서 요약문(국문)...4
• 3. 연구내용...6
• 가. 연구결과 요약문(국.영문)...6
• 나. 서론...8
• 다. 연구방법 및 이론...10
• 라. 결과 및 고찰...15
• 마. 결론...32
• 바. 인용문헌...33
• 4. 논문발표목록서 및 자체평가서...35