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[국가R&D연구보고서] 전력용반도체 기술개발사업;1.2kV/120kA 펄스파워용 dynistor 소자 및 FRD 소자 설계 제조 기술개발
Technology Development of Power Semiconductor Devices;Design and Fabrication Technologies of 1.2kV/120kA Dynistor Devices and FRD Devices for Pulse Power 원문보기

보고서 정보
주관연구기관 한국전기연구원
Korea Electrotechnology Research Institute
연구책임자 김은동
참여연구자 김남균 , 박종문 , 김상철
발행국가대한민국
언어 한국어
발행년월2000-09
주관부처 과학기술부
과제관리전문기관 한국전기연구원
Korea Electrotechnology Research Institute
등록번호 TRKO200200024464
DB 구축일자 2013-04-18

초록

목차 Contents

  • 제1장. 서 론...20
  • 제1절. pnpn 사이리스터 구조의 정의...20
  • 제2절. 사이리스터의 동작원리...22
  • 제3절. 사이리스터의 분류 및 기술발전...26
  • 제4절. 사이리스터의 기호와 용어...29
  • 1. 표시기호...29
  • 2. 사이리스터의 상태를 나타내는 용어 및 문자기호...29
  • 제5절. 사이리스터 소자의 응용역사...33
  • 제6절. 사이리스터의 종류...35
  • 1. 분류방법...35
  • 2. 대표적인 사이리스터 구조...40
  • 가. 광구동 사이리스터...40
  • 나. 역통도(逆通導) 사이리스터(reverse-conduction thyristor)...42
  • 다. GTO 사이리스터...43
  • 라. 트라이악(triac)...44
  • 3. 소자의 외형구조...45
  • 제2장. 펄스파워 용도의 반도체 소자...50
  • 제1절. 반도체소자의 펄스 특성 및 전용 반도체소자...50
  • 1. MAGT...52
  • 2. 펄스파워 사이리스터...54
  • 3. 광도통 사이리스터...54
  • 제2절. 반도체 소자에의 적용기술...55
  • 1. 직병렬화 기술...55
  • 가. 분담전압의 균등화...55
  • 나. 분담전류의 균등화...56
  • 다. 자기 어시스트 기술과 자기 펄스 압축기술...57
  • 제3장. 1.2kV/60kA, 120kA급 Dynistor 소자...58
  • 제1절. 서 론...58
  • 1. RSD 동작원리...60
  • 가. Reversely Switched-On Dynistor...61
  • 나. Calculation of Transient Pumping Process...63
  • 제2절. 해석적인 방법에 의한 소자설계...65
  • 1. RSD 주 파라메터 계산...66
  • 가. Breakover 전압 V ...66
  • 나. 순방향 전압강하...67
  • 다. Turn-off time...68
  • 라. 쇼트된 에미터 구조 (Structure of shorted emieetes)...68
  • 마. 해석적인 방법에 의한 모델링...78
  • 제3절. 상용 S/W를 통한 소자설계...83
  • 제4절. 제조공정...88
  • 1. 출발물질의 선정...88
  • 2. 공정 flowchart...89
  • 3. 확선 공정...90
  • 4. 산화막 형성(Oxidation)...93
  • 5. 인 확산...93
  • 6. 단위공정용 패턴 마스크 설계 및 제작...94
  • 7. 애노드 및 캐소드 전극 증착...96
  • 8. Melting with Mo disk...97
  • 9. 고내압 베벨구조...97
  • 10. 패키지 공정...97
  • 제5절. RSD 소자 특성평가...98
  • 제6절. RSD 패키지...104
  • 1. 패키지 외형...104
  • 2. 아르곤 아크(Argon-Arc) 웰딩...105
  • 3. 기밀성 평가...106
  • 4. 패키지 공정...108
  • 가. 재료세척...108
  • 나. 조립 및 아르곤 아크 웰딩...109
  • 다. 패키지 내부 질소 충전 및 봉합을 위한 게이트 튜브 밀봉...111
  • 5. 패키지 평가방법...111
  • 가. 기 밀 성...113
  • 나. 외부 기계적 충격에 대한 저항성...113
  • 다. 환경요인에 대한 저항성...113
  • 제4장. FRD(Fast Recovery Diode)소자 설계 및 제작...115
  • 제1절. FRD 소자 기술개발 추이...115
  • 제2절. Fast Recovery Diode의 향후 전망...117
  • 제3절. 소자 설계 시뮬레이션...118
  • 1. 소자 시뮬레이션...118
  • 가. 항복전압 제어 시뮬레이션...118
  • 나. 전압-전류 제어 시뮬레이션...120
  • 제4절. 단위공정실험 및 시험소자 제작, 평가...121
  • 1. 고내압 구??간 제어 공정기술 연구...129
  • 가. 시험소자 제작 및 특성평가...129
  • 나. Au 확산 실험 및 결과...129
  • 다. 전자선 조사 실험 및 결과...132
  • 라. 캐리어 lifetime 조절...134
  • 1). 천이금속(Au, Pt) 확산 기술...134
  • 2). 전자선 조사와 Proton 주입기술...136
  • 제5절. 목표소자의 제작 및 평가...137
  • 1. 목표소자의 설계...137
  • 가. 특성설계...137
  • 1). 내압특성의 설계...137
  • 2). 온-전압-역방향 회복시간 특성설계...139
  • 2. 목표소자의 제작...142
  • 3. 목표소자의 특성평가...146
  • 제5장. 결 론...148
  • 참고문헌...150

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참고문헌 (25)

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