초록 ▼

가. 이온 빔 IC TRAY 개발 최적의 전도도인 10?-10?으로 양산(30,000매/월) 할 수있도록 개발하여 주문생산 공급. 표면 경도를 10배 증가시켜 IC CHIP 전 공정 자동화 지원. 카본 화이버를 제외시켜 강도 증가로 파손방지 및 먼지발생 최소화 하고, 100% 재활용 TRAY를 생산 공급. 중량을 18g정도 가볍게 생산 공급하여 운송비 절감에 기여. 130℃에서 150℃-180℃ 고온용 공급하여 IC CHIP의 변화에 대응하고 고수익 창출. 나. 생산장비 개발 장비를 컴팩트하게 개발하여 제조 설비치를 최소

가. 이온 빔 IC TRAY 개발 최적의 전도도인 10?-10?으로 양산(30,000매/월) 할 수있도록 개발하여 주문생산 공급. 표면 경도를 10배 증가시켜 IC CHIP 전 공정 자동화 지원. 카본 화이버를 제외시켜 강도 증가로 파손방지 및 먼지발생 최소화 하고, 100% 재활용 TRAY를 생산 공급. 중량을 18g정도 가볍게 생산 공급하여 운송비 절감에 기여. 130℃에서 150℃-180℃ 고온용 공급하여 IC CHIP의 변화에 대응하고 고수익 창출. 나. 생산장비 개발 장비를 컴팩트하게 개발하여 제조 설비치를 최소화 함으로써 IC TRAY 생산 원가를 감소시켜 고소득이 가능토록 하고, 해외 현지 합작공장에 설치 할 수 있도록하여 수출증대 효과를 기대하며, 양산장비 (100,000매/월 이상)를 지속적으로 개발하여 생산성을 향상시킨다.

Abstract ▼

1. Developing Ion Beam IC Tray Supplying IC trays having 10?∼10? Ω/sq (30,000pieces/month), which is the most suitable electric conductivity. Helping to automate the full production process of IC chip to increase surface hardness 10 times Because of not using carbon fiber, increase hardness and p

1. Developing Ion Beam IC Tray Supplying IC trays having 10?∼10? Ω/sq (30,000pieces/month), which is the most suitable electric conductivity. Helping to automate the full production process of IC chip to increase surface hardness 10 times Because of not using carbon fiber, increase hardness and protect breakage and reduce dust breaking out. Placo korea will supply IC trays of 100% recycling. Saving transporting cost to supply trays 18g lighter Supplying IC trays for high temperature from 130℃ to 150℃∼180℃ and preparing changes of IC chip. Therefore making high profit.2. Developing production equipment Developing compact equipment and reducing installing cost. With cutting down production cost of IC tray high profit would be possible. Supplying IC tray equipments to overseas collaboration mills, so expecting export. Improving productivity to develope facilities for mass production(60,000pieces/month)

목차 Contents

• 제1장 서론...21
• 제2장 국내.외 기술개발 현황...22
• 제1절 국내기술 개발 현황...22
• 제2절 국외기술 개발 현황...22
• 제3절 이온/양성자빔 장치의 응용분야 조사...23
• 1. 이온빔에 의한 재료의 표면개질 기술...24
• 제3장 이론적 배경...29
• 제1절 이온원...29
• 제2절 이온원 종류 및 특징...30
• 제3절 DuoPIGatron 이온원...31
• 1. 필라멘트...34
• 2. 중간전극, 이온원 전자석...34
• 3. 양극(Anode)...34
• 4. 이온빔 인출계...35
• 5. X선 차폐용 등전위 전극...36
• 제4절 편향장치...37
• 제5절 Faradat cup...38
• 제4장 연구개발 수행내용 및 결과...39
• 제1절 최적조사조건 확립...39
• 1. 이온빔조사각도에 따른 IC TRAY 표면의 전기전도도균일성 분석...39
• 2. 빔편향시 이론치와 실험치와의 편향거리 비교평가...40
• 3. Faraday cup을 사용한 이온빔 전류측정...40
• 4. 조사이온에 따른 표면의 전기적 특성변화 분석...45
• 5. 이온조사량에 따른 표면의 전기적 특성변화 분석...46
• 6. 이온조사량에 따른 표면의 열변형시간과의 상관관계분석...48
• 7. 표면전기전도도에 따른 이온빔전류와 공정시간과의 상관관계 분석...50
• 8. 결론...52
• 별첨1. IC TRAY 이온빔 인출전류에 따른 치수 및 표면 전도도 변화...53
• 제2절 양산조사 공정기술개발...54
• 1. PROCESS HIGH VACUUM IBS CHAMBER...54
• 2. 전원구성...56
• 3. DuoPIGatron 이온원 특성 시험...58
• 4. 이온 빔 형태 및 전류 밀도 측정...58
• 5. 기존 상용 이온주입장치의 조작 및 보수 기술 습득...59
• 6. AUTOMATIC SYSTEM(CONVEYOR - UP/DOWN TYPE)...61
• 7. IC TRAY CLAMPING JIG...63
• 제3절 양산전용 이온빔 조사장치 개발...63
• 1. 양산전용 50keV, 50mA 이온원 제작목적...63
• 2. 양산전용 50keV, 50mA 이원원 제작방법...64
• 3. IC TRAY 양산장비 개발 도면 및 사진...65
• 4. 고전압 모의 방전 계산 결과...68
• 5. 무부하 50keV, 이온원 고전압 절연 실험...69
• 6. 50kV, 50mA 대면적 이온빔 조사 실험...70
• 제5장 연구개발의 활용계획...73
• 제1절 기대성과...73
• 1. 기술적측면...73
• 2. 경제적측면...73
• 제2절 활용방안...73
• 1. 이온빔 조사기술응용분야 개발...73
• 제6장 참고문헌...75
• 별첨2. 이온빔장치의 세계적 동향 및 전망...77
• 별첨3. 기업측 카다로크...92