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NTIS 바로가기주관연구기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
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연구책임자 | 한전건 |
참여연구자 | 김용모 , 박헌규 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1998-12 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 성균관대학교 SungKyunKwan University |
등록번호 | TRKO200200054605 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
Pulsed DC 플라즈마를 이용한 플라즈마 질화 공정에서 Langnuir probe 및 OES를 이용하여 공정압력 1∼10 Torr의 압력범위와 Pulsed DC 전원의 frequency 및 duty ratio, bias voltage에 따른 질소 플라즈마의 특성과 혼합기체(N₂, H₂)의 부분압력 비에 따른 OES분석을 실시하였다. N₂+와 N₂에 대하여 플라즈마 질화 공정 조건별 질소 플라즈마의 거동에 관한 연구를 수행하였으며 Langmuir probe에 의한 플라즈마 parameter를 측정하였다. 또한 TCP(Transf
Pulsed DC is widely used to control the hollow cathode discharge effect, and the main process variables on hollow cathode discharge effect are suggested to the size of the hole, the gas pressure and the plasma current density.In this study, we employed the pulsed DC plasma for the plasma nitriding o
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