초록 ▼

(1) 제 1차년도A. HDTV용 TFT 재료 제조 기술 가. 개발내용 1. LP-CVD 방식에 의한 Si 제조 연구 (유리 기판 사용) 2. 새로운 방법에 의한 게이트 절연막 제조 기술 연구(SiO₂, Si₃N₄) 3. Lamp-CVD에 의한 Si 제조 기술 4. 미세 결정질 n+ Si을 이용한 TFT 제조 기술 연구 5. RP-CVD 연구 나. 범위 1. 기초연구 2. 재료개발B. 광학 부품 설계 기술 가. 개발내용 1. Glass lens, plastic lens, 반사 mirror 및 투사 screen의 설

(1) 제 1차년도A. HDTV용 TFT 재료 제조 기술 가. 개발내용 1. LP-CVD 방식에 의한 Si 제조 연구 (유리 기판 사용) 2. 새로운 방법에 의한 게이트 절연막 제조 기술 연구(SiO₂, Si₃N₄) 3. Lamp-CVD에 의한 Si 제조 기술 4. 미세 결정질 n+ Si을 이용한 TFT 제조 기술 연구 5. RP-CVD 연구 나. 범위 1. 기초연구 2. 재료개발B. 광학 부품 설계 기술 가. 개발내용 1. Glass lens, plastic lens, 반사 mirror 및 투사 screen의 설계 2. 광학계 설계 사양 결정 나. 범위 1. 기초연구 2. 설계기술(2) 제 2차년도A. HDTV용 TFT 제조 기술 가. 개발내용 1. 단위소자 개발 1) 새로운 방법에 의한 게이트 절연막 연구 ※ Si₃N₄, SiO₂,ON, ONO ※ 계면 전하밀도 ＜10 11/㎠ 목표 2) 도핑 공정 연구 (저온, 저 cost의 도핑 공정 연구) 3) 캐리어 이동도 개선 연구 4) TFT 재료 개선 연구 5) 소자 설계 / 구조 개선 연구 2. 제조장비 개선 및 개발 1) LP-CVD 장비 개선 2) RP-CVD 및 Lamp-CVD 장비 개선 나. 범위 1. 단위 소자 구조 확립(공동연구) 2. 장비개량(공동연구)B. 액정기술 가. 개발내용 1. 액정 cell 설계 2. 액정 cell의 광학적 특성 연구 나. 범위 1. 장비 Set-Up(개별연구)(3) 제3차년도A. HDTV용 TFT 제조기술 가. 개발내용 1. TFT 대면적화 연구 1) Si TFT의 절연 박막, 반도체 박막 등의 증착 기술 2) 박막 특성의 균일도 및 결정 입자 크기의 확대 연구 3) 소자 구조 개선 2. Si TFT array 개발 1) 공정 integration 2) Test mask 설계 3) 공정 개선 3. 회로 설계 / Mask 제작 1) Shift Register, Line Memory, A/D Converter 2) TFT-LCD(480×640 pixels) mask 설계 3) Simulation 체계 확립 나. 범위 1. 제조공정확립(공동연구) 2. (개별연구) 3. TFT array 및 구동회로 설계(개별연구)B. LCD Module 제조기술 가. 개발내용 1. 배향기술 2. Rubbing 기술 3. 합착 기술 4. 액정 주입 기술 5. Module 특성 측정 기술 6. Grey scale 연구 나. 범위 1. (개별연구)(4) 제 4차년도A. Si TFT Array 가. 개발내용 1. HDTV LCD 용 Mask 설계 (1125×1183) 2. 단위 소자 특성 향상 3. TFT 제조 공정 확립/ 안정화 4. HDTV LCD용 마스크 제작 나. 범위 1. 개별연구(공동평가) 2. 시제품 제작B. LCD Module 가. 개발내용 1. HDTV 용 LCD Module 제조 2. 액정 개선 (속도, contrast, viewing angle) 3. 주변 회로 제작 및 본딩 기술 나. 범위 1. 시제품 제작

목차 Contents

• 제 1 장 서론...17
• 제 1 절 TFT-LCD의 역사...17
• 제 2 절 비정질 실리콘 TFT-LCD 생산기술...19
• 1. 비정질 실리콘 TFT-LCD의 제조공정...19
• 2. 비정질 실리콘 TFT-LCD의 생산기술...19
• 제 3 절 Poly-Si TFT의 생산기술...20
• 1. 현재의 생산공정...20
• 2. 미래의 생산기술과 제조장비...21
• 제 4 절 투사형 LCD HDTV 개요...24
• 1. HDTV 디스플레이 사양...24
• 2. LCD potjector 설계...25
• 3. HDTV 시제품...29
• 제 5 절 연구 과제의 내용...31
• 1. 개발 사업 최종 목표...31
• 2. 개발 사업 내용 및 방법...31
• 제 2 장 다결정질 실리콘 박막트랜지스터의 연구 개발 현황...32
• 제 1 절 다결정질 실리콘 박막트랜지스터의 제조 기술...32
• 1. 서론...32
• 2. 저온 공정에 의한 다결정화 방법...33
• 3. 박막트랜지스터에의 응용...36
• 제 2 절 투사형 TFT-LCD의 연구 개발 현황...38
• 제 3 절 Poly-Si TFT에서 수소화 효과...46
• 제 3 장 고이동도 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 제조 기술...55
• 제 1 절 질화막을 이용한 비정질 실리콘 TFT...55
• 1. TFT out 특성과 transconductance...55
• 2. Transfer 특성...58
• 3. Field effect mobility, threshold voltage 및 stability...63
• 4. Subthreshold slope의 특성 변화...69
• 5. 고이동도 비정질 실리콘 TFT 제조 기술...70
• 제 2 절 산화막을 이용한 비정질 실리콘 TFT...78
• 제 4 장 저온 공정에 의한 다결정 실리콘 TFT 제조 기술...82
• 제 1 절 저온 공정에 의한 다결정 실리콘의 제작 및 특성 분석...82
• 1. Thermal CVD에 의한 비정질 실리콘 제작...82
• 2. 아닐링 방법에 의한 비정질 실리콘의 다결정화...85
• 3. 다결정 실리콘의 구조적 특성...88
• 제 2 절 절연막 제작...105
• 1. 질화막 제작...105
• 2. 질화막의 특성...108
• 제 3 절 저온 공정에 의한 다결정 실리콘 TFT 제조 기술...111
• 1. Staggered형 poly-Si TFT...111
• 2. Coplanar형 poly-Si TFT...117
• 3. RTA 공정을 이용한 poly-Si TFT 제조...118
• 제 4 절 RP-CVD에 의한 poly-Si 제조 기술...129
• 제 5 절 결 론...145
• 제 5 장 저온 공정에 의한 sio₂제조 기술...146
• 제 1 절 서 론...146
• 제 2 절 이 론...146
• 1. 증착 메카니즘...146
• 2. Capacitance-Voltage Characteristics...147
• 3. Leakage Current...149
• 제 3 절 실험방법...150
• 1. 실험 장치...150
• 2. 측정 방법...152
• 제 4 절 결과 및 논의...153
• 1. 온도 및 압력 의존성...153
• 2. 가스 구성비에 따른 변화...157
• 3. 열처리 효과...160
• 제 5 절 결 론...160
• 제 6 장 Poly-Si TFT를 이용한 주변회로 제조 기술...168
• 제 1 절 서 론...168
• 제 2 절 NMOS TFT 및 shift register 제작 공정...172
• 1. 저온 공정...172
• 2. 고온 공정...173
• 제 3 절 제작된 TFT의 전기적 특성...175
• 1. 소자 특성 분석...175
• 2. 게이트 길이에 따른 특성 변화...181
• 제 4 절 주변 회로 특성...187
• 1. INVERTER 특r 특성...195
• 제 5 절 결 론...206
• 제 7 장 Poly-Si TFT 및 주변회로 simulation 연구...209
• 제 1 절 서 론...209
• 제 2 절 TFT I-V 특성곡선의 기본특징...210
• 제 3 절 Strong Inversion에서의 TFT I-V model...218
• 제 4 절 TFT-CMOS 부분회로...220
• 1. Inverter와 Transmission Gate...220
• 2. Static Row Drivers...225
• 3. Inverter와 Transmission Gate의 Simulation...228
• 제 5 절 결 론...228
• 제 8 장 결 론...231
• 제 1 절 LCD HDTV의 연구 개발 현황...231
• 제 2 절 고전계 효과 이동도 비정질 실리콘 TFT 제조 기술...231
• 제 3 절 유리 기판 위에 다결정 실리콘 TFT 제조 기술...232
• 제 4 절 RP-CVD에 의한 poly-Si 제조 연구...232
• 제 5 절 Poly-Si TFT를 이용한 주변회로 제조...233
• 제 6 절 Poly-Si TFT를 이용한 주변회로 simulation...233
• 제 7 절 저온 공정에 의한 sio₂제조 기술...233